荣获“财产链粉碎奖” 汇芯通信首席科学家樊永辉：沃格光电玻璃基TGV武艺大有可为

　　集微网音书 6月2日-3日，“2023第七届集微半导体峰会”在厦门国际荟萃中心旅舍隆沉召开。在6月2日进行的“首届集微半导体建立峰会暨资产链打破奖颁奖典礼”上，江西沃格光电股份有限公司（简称：沃格光电）依据超薄高精密TGV技艺荣获财产链粉碎奖。

　　沃格光电TGV（玻璃基巨量通孔）技术和谐了公司玻璃基薄化、镀铜（双面单层、双面多层）、巨量通孔等技艺，该技能变成的产品化形式严重为用于Mini/Micro直显的封装基板以及半导体先辈封装基板，网罗2.5D/3D封装，其在高本能计划（AI、超级电脑、数据中央）、感测（MEMS、生物感应器件）、射频器件等界限有广博操纵前景和空间。

　　而在首届集微半导体修立峰会上，汇芯通信首席科学家樊永辉介绍沃格光电玻璃基TGV技能，其称，新一代讯歇产业是他日十年经济发达的紧要驱动力，随着转移通信技艺的连续希望，射频器件朝集成化目标进步，肯定会带头玻璃基本领希望，而沃格光电算作国内玻璃基遇上企业，将会迎来广阔的墟市前景。

　　而今寰宇正在加入以新一代新闻产业为主导的新经济希望时候，以人工智能、转移通信、物业互联网、核心电子器件、云打算、大数据等为代表的新一代信息本事加快打破使用，正在深度浸构全球家当模式、企业形态和价格链分工。

　　而他们国也出台了一系列巨大策略措施，加速音尘资产转机。以转移通信为例，2022年，5G汇集人口遮蔽、基站调理数量、5G继续数等方面速速发达，依然成为全球趋势。2020-2022年，华夏三年5G投资总额达5125亿元，修成全球规模最大、武艺起初进的5G单独组网辘集，已成为环球5G专利的严重产放洋和圭臬制定国告竣了通信本领的引领。

　　樊永辉表露，“通信本领的转机和资产的开展对射频器件的仰求越来越高，推进了半导体原料和集成电途本事发扬，以及巨大的市集机缘。但是，这些产品还是中国通信（和电子行业）产业链的虚亏枢纽，也是所有人们全力的倾向。”

　　“今朝射频前端、功率扩充器（PA）市场紧要是被美日所专揽。我们国射频前端器件企业在周围上仍保存较大的差距，但完毕射频器件本领与市场的粉碎是国内企业的挑战与机遇。”樊永辉增添道。

　　从工艺本事及操纵商场走势来看，射频功率扩充器方面，基站侧PA在2G/3G时代根本悉数运用LDMOS工艺，4G时间起始应用GaN工艺。LDMOS产品商场份额紧要被NXP、Ampleon、Wolfspeed等吞噬。超越70%的GaN PA墟市被住友电工、Wolfspeed和Qorvo消灭。5G期间，基站侧PA将严浸选取GaN工艺。手机侧，4G PA严沉选用GaAs工艺，全球4G PA约90%市集份额首要被Skyworks、Qorvo、Broadcom、高通和村田消灭。5G期间，手机侧PA仍将络续GaAs工艺。

　　而在射频滤波器方面，4G基站中，金属腔体滤波器是主流本领，而在5G基站中，金属腔体滤波器和陶瓷介质滤波器本事将共存，后者由于更高的Q值和更小的尺寸，将培育市集占领率。

　　樊永辉称，“随着通信身手和产业继续进展，新型半导体质地将朝高频率、高功率、低功耗、小型化等趋势发展，而射频功率夸诞器、滤波器也将朝“新质地+新构造+新工艺”方向起色。射频器件集成化将在后摩尔时间和将来通信中发扬越来越症结的效果，在集成电路资产链中的商场份额也越来越大。”

　　随着三维（3D）封装的广博，厚度是一个更受关切的身分。樊永辉指出，经过垂直堆叠半导体来提升机能，其合头是减小基板的厚度。而玻璃载板具有平坦的表面并且可以做得很薄，与ABF塑料比较，它的厚度可能裁减一半掌管，减薄可能升高暗记传输快度和功率收效。

　　5 月 19 日，英特尔宣告了先辈封装身手蓝图，将古板基板转为更为先辈的玻璃材质基板，其希望颠末玻璃载板刷新3D封装构造，该技术可缩小芯片与电途板之间的兵戈距离（凸点间距）。兵戈隔绝越短，封装尺寸越小，于是可能提高本能。

　　而沃格光电看成国内玻璃基抢先企业，其玻璃加工已完备成熟的、完美的工艺。与现有其他质料对比，玻璃基优势首要体现时高耐热性、低热膨胀系数、优秀的导热系数、低翘曲度、高线途精密度、更低本钱等，在大功率器件封装和高算力数据中央效劳器等范畴具有必要的操纵空间，该范围是公司产品的主要使用方向。随着畴昔财产链的进一步成熟，其浸透率亦将渐渐教育。

　　值得一提的是，为了深切贯彻落实所有人国“创造强国”战术，深圳市政府与多所高校关伙多家5G家当链上鄙俚龙头企业和上市公司共同制作国家5G中高频器件革新核心，静心于5G通信中高频器件领域前沿武艺和共性关节技术的研发需要、改革扩散和首次营业化使用的新型修立业立异载体。

　　该革新核心搭修从质料/器件-调动-测验-封装-中试的一体化大众任事平台，需要先辈的安置、工艺和封装才略。并与家当链上庸俗企业合营，蚁合优势资源，在移动通信射频器件合键技术和产品周围，协同推动技艺发展与粉碎。

　　资料暴露：樊永辉，结业于加州大学伯克利分校（U. C. Berkeley），获工学博士学位。 曾在麻省理工学院（M.I.T.）从事商酌事迹。在美国通信半导体与MEMS行业，包括宇宙500强企业，有突出20年的事业阅历，先后从事技术研发、市场行使、产品筑造与技能管理等事迹。连年返国行状，曾任厦门三安环宇集成电路有限公司本事副总，现任厦门大学国家树范微电子学院客座哺育、国家5G中高频器件建立立异中央暨深圳市汇芯通信身手有限公司巨匠委员会委员和首席科学家。